Sunulan bu çalışmada, kısa erimli dipsiz üstel
potansiyelli bir GaAs kuantum kuyusunun doğrusal olmayan optiksel özellikleri
üzerine kuşatma potansiyelinin derinliğinin etkisi ayrıntılı olarak
çalışılmıştır. Bu yapının enerji özdeğer ve özfonksiyonları etkin kütle ve zarf
fonksiyonu yaklaşımı çerçevesinde hesaplanmıştır. Doğrusal, üçüncü dereceden
doğrusal olmayan ve toplam soğurma katsayısı ve bağıl kırılma indisindeki
değimleri için analitik formüller kompakt yoğunluklu matris yaklaşımı (CDMA) ve
yineleme yöntemi kullanarak elde edilmiştir. Bu modele dayanarak, elde ettiğimiz
sayısal sonuçları kuşatma potansiyelinin derinliğinin birkaç değeri için gelen
foton enerjisinin bir fonksiyonu olarak rapor ettik. Sonuçlar doğrusal, üçüncü
dereceden doğrusal olmayan ve toplam soğurma katsayılarının ve bağıl kırılma
indisi değişimlerinin kuşatma potansiyelinin derinliğinden kuvvetli bir şekilde
etkilendiğini göstermiştir.
In the present study, the effect of the depth of the confinement
potential on the nonlinear optical of a GaAs quantum well with short-range
bottomless exponential potential is studied in detail. The energy eigenvalues
and eigenfunctions of this structure are calculated within the framework of
effective mass and envelope function approximations. Analytic formulas for the
linear, third-order nonlinear and total absorption coefficients and relative
refractive index changes are obtained using the compact-density matrix approach
(CDMA) and iterative method. Based on this model, our obtained numerical
results are reported as a function of incident photon energy for several values
of the depth of the confinement potential. The results show that the linear,
third order nonlinear, and total absorption coefficients and relative
refractive index changes are strongly affected by the depth of the confinement
potential.
Primary Language | English |
---|---|
Journal Section | Natural Sciences |
Authors | |
Publication Date | December 24, 2018 |
Submission Date | November 5, 2018 |
Acceptance Date | November 20, 2018 |
Published in Issue | Year 2018 |