Bu çalışmada, homojen
bir katkılama dağılım modeli için asimetrik çift delta katkılı kuyularda ikinci
mertebeden harmonik üretim katsayısı araştırılmıştır. Asimetrik çift delta
katkılı kuyulara sahip GaAs yapısının potansiyel profili, alt bant enerji seviyeleri,
dalga fonksiyonları ve yük yoğunlukları gibi elektronik özellikleri,
Schrödinger ve Poisson denklemlerinin kendi içinde tutarlı hesaplamalarıyla
belirlenmiştir. Bu çalışmada kullanılan
parametrelere göre, katkı konsantrasyonu için alt bantlar arası
gevşeme süresi olan yapıdaki ikinci
mertebeden harmonik üretim katsayısının pik
değerinin, katkı
konsantrasyonu 5 olan
yapıdaki süresiyle aynı olduğu görülmektedir. Ayrıca, 1
nm verici dağılımının kalınlığı için, olan bu harmonik üretim katsayısının pik
değeri, verici dağılım kalınlığı 8 nm için yaklaşık ile aynı davranışa sahiptir. Alt bantlar arasındaki ikinci derecedeki doğrusal
olmayan geçişlerin yapısal parametrelerine bağımlılığı, foto-dedektörlerin ve
optik modülatörlerin potansiyel değişimleri için oldukça önemlidir. Kuantum
foto-elektronik cihazların gelecekteki araştırmalarında bu yapıların önemli bir
yeri olacaktır.
Delta katkılama öz-uyumluluk ikinci derece harmonic üretim katsayısı lineer olmayan geçişler
In this study, second order harmonic generation (SHG) coefficient in asymmetric double delta doped wells (ADQW) were
investigated for a uniform doping distribution model. The electronic properties
of GaAs structure with ADQW, such as the potential profile, sub-band energy
levels, wave functions and charge densities are calculated
by self-consistent the Schrödinger and Poisson equations. According to the parameters used in this study, I have seen that for the doping concentration, SHG peak size in ADQW structure with the
intersubband relaxation time gives the same peak magnitude value with for the
doping concentration 5. Also, for the thickness of the donor
distribution the peak
size value of SHG with has
approximately the same behavior with for the
donor distribution thickness . The dependence on
the structural parameters of the nonlinear transitions in the second order
between the sub-bands is more important for the potential variations of the
photodetectors and optical modulators. These
structures will have an important place in the future research of quantum
photo-electronic devices.
Delta-doping self-consistent second order harmonic generation (SHG) coefficient nonlinear transitions
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Bölüm | Natural Sciences |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 30 Eylül 2018 |
Gönderilme Tarihi | 26 Temmuz 2018 |
Kabul Tarihi | 11 Ağustos 2018 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2018Cilt: 39 Sayı: 3 |