Plazma poli (etilen oksit) (pPEO) ince film
örneklerinin dielektrik özellikleri oda sıcaklığında incelendi. Farklı
kalınlıklardaki ince film örnekleri, 5 W plazma boşaltma gücünde plazma
destekli fiziksel buhar depozisyonu
(PAPVD) tekniği ile elde edildi. Film kalınlıkları 20, 100, 250, 500
nm’dir. Artan film kalınlığı ile
dielektrik sabitinin arttığı gözlenmiştir. Dielektrik kayıp ve frekans ilişkisi
ile belirlenen relaksasyon zamanları, artan kalınlık ile daha yüksek
frekanslara kaymaktadır. Film kalınlığına ilaveten, ısıtma süreçleri bir diğer
parametre olarak tanımlandı. Bu amaçla, ince film örnekleri sırasıyla ısıtılmış
ve soğutulmuştur. Soğutma sürecindeki
dielektrik kaybın maksimum ve minimumunun, ısıtma sürecindeki maksimum ve
minimumunun belirlendiği frekanslardan daha alçak frekanslarda meydana geldiği
gözlenmiştir. Bu sonuçlar, daha ince filmlerde
ölü tabakanın etkisini gösterebilir. Isıtma sürecinden sonra, dielektrik sabiti
ve dielektrik kayıp davranışından, çapraz bağlanma yoğunluğunun ısıtma
etkisiyle arttığı gözlenmiştir. Bu etki PAPVD'nin ürünü olan serbest radikaller
arasında ek tepkimelere neden olabilir. Ayrıca dinamik camsı geçiş sıcaklıkları
hesaplandı. Bu sıcaklıklar ölü tabaka yaklaşımı etkisini ispatlamaktadır.
Plazma poli (etilen oksit) ince film dielektrik özellikler dinamik camsı geçiş sıcaklığı
Dielectric properties of plasma poly (ethylene
oxide) (pPEO) thin film samples were investigated at room temperature. The thin
film samples with different thicknesses were deposited by plasma assisted
physical vapor deposition (PAPVD) technique at 5 W plasma discharge power. The
thicknesses were 20, 100, 250, 500 nm. It was observed that dielectric constant
increases with increasing thickness. The relaxation times determined by
dielectric loss-frequency relation, shift toward higher frequencies with
increasing thickness. In addition film thickness, heating processes were
defined as another parameter. By this purpose, thin film samples were heated
and cooled, respectively. It was observed that maxima and minima of dielectric
loss at cooling process take place at lower frequencies in comparison with
frequencies at which maxima and minima were detected at heating process. These
results may show the effect of dead layer at thinner films. After heating
process, it was observed from behavior of dielectric constant and dielectric
loss that the crosslinking density increases by heating effect. This effect may
cause additional reactions between free radicals which are production of PAPVD.
Moreover, dynamic glass transition temperatures were calculated. These
temperatures prove the effect of dead layer approximation.
Plasma poly (ethylene oxide) thin film dielectric properties dynamic glass transition temperature
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Bölüm | Natural Sciences |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 29 Haziran 2018 |
Gönderilme Tarihi | 27 Şubat 2018 |
Kabul Tarihi | 30 Mart 2018 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2018Cilt: 39 Sayı: 2 |