Multilayer magneto-response cells (MMRC)
fabricated on a non-magnetic layer among ferromagnetic [Fe65Co35]5/Cu/[Fe65Co35]5
on a flexible substrate (Kapton tape) have been studied by using electron
microscopy, X-ray diffraction, magnetic and magnetoimpedance measurements. In a
similar cell, these layers have shown previously to have an outstanding
magnetoimpedance (MI) effect performance when the selected growth substrate is
a rigid one. Here, this MMRC produces on the Kapton tape and evaluate during
the using as a magnetic field sensor and the magnetoimpedance characteristics
are analyzed in terms of preparation conditions. For future sensing
applications, this material is a promising candidate for giant magnetoimpedance
effect with the range of low price and relatively high sensitivity features. In
order to observe MI effect, the frequency dependence of impedance measurements
has performed as a function of the applied low magnetic field. The impedance
value of the cells has characterized by using constant 20 mA AC current
source at low frequencies ranges. Double (out of plane measurement) peak
responses have obtained, showing MI ratios up to % 140 and % 55, their
sensitivities are around 30 %/Oe and 17 %/Oe
in the film on Si and Kapton tape, respectively.
CoFe System Magnetic Thin Film Magnetic Field Response Multilayer magneto-response cells Multilayer magneto-response cells
Esnek bir alttaş (Kapton bant) üzerinde manyetik
olmayan bir ara katman üzerinde üretilen ferromanyetik
[Fe65Co35]5/Cu/[Fe65Co35]5 çok katmanlı manyeto-tepki hücreleri elektron
mikroskobu, X-ışını kırınımı, manyetik ve magneto empedans ölçümleri alınarak
incelenmiştir. Benzer bir hücrede, bu katmanlar, seçilen büyüme altlığı sert
bir yapıda olduğu zaman, olağanüstü bir magneto-empedans etki performansına
sahip olduklarını göstermiştir. Burada, bu hücreler Kapton bant üzerinde
büyütülerek, manyetik alan sensörü olarak kullanımı değerlendirilip ve magneto
empedans özellikleri hazırlama koşulları açısından analiz edilmiştir.
Gelecekteki algılama uygulamaları için bu malzeme, düşük fiyat aralığı ve
nispeten yüksek hassasiyet özellikleri ile dev manyeto-empedans etkisi için
umut verici bir adaydır. Manyeto empedans etkisini gözlemlemek için empedans
ölçümlerinin frekans bağımlılığı, uygulanan düşük manyetik alanın bir
fonksiyonu olarak gerçekleştirilmiştir. Hücrelerin empedans değeri, düşük
frekans aralıklarında sabit 20 mA AC akım kaynağı ile karakterize edilmiştir.
Si ve Kapton kaplamadaki filmde, duyarlılıkları, sırasıyla,% 30 / Oe ve% 17 /
Oe civarında olan, manyeto empedans oranlarını % 140'a ve% 55'e kadar gösteren
pik tepkileri elde edilmiştir.
CoFe Sistemi Manyetik İnce Film Manyetik Alan Tepkisi Çok Katmanlı Manyetik Tepki Hücreleri
Bölüm | Engineering Sciences |
---|---|
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 8 Aralık 2017 |
Gönderilme Tarihi | 21 Mayıs 2017 |
Kabul Tarihi | 17 Temmuz 2017 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2017 |